针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA114YE,115 | NXP 恩智浦 | NXP PDTA114YE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA114YE,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-416 PNP 150mW | 当前型号 | NXP PDTA114YE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： DTA114YET1G 品牌： 安森美 封装： SOT-416 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR DTA114YET1G 晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-75 新 | PDTA114YE,115和DTA114YET1G的区别 |
| 型号： PDTA114YE 品牌： 飞利浦 封装： | 功能相似 | PDTA114Y series; PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10KΩ, R2 = 47KΩ | PDTA114YE,115和PDTA114YE的区别 |
