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PMT21EN
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PMT21EN  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.5 V

The is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for high-speed line driver, low-side loadswitch and switching circuits.

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Logic-level compatible
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Very fast switching

贸泽:
NXP Semiconductors


e络盟:
NXP  PMT21EN  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.5 V


PMT21EN中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 820 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.4A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Automotive, Industrial, 车用, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMT21EN引脚图与封装图
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