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PDTC143EE,115

PDTC143EE,115

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NXP(恩智浦) 分立器件

NXP  PDTC143EE,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

The is a NPN Resistor Equipped Transistor RET housed in ultra small surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.

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100mA Output current capability
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Reduces component count
.
AEC-Q101 Qualified
PDTC143EE,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

高度 0.85 mm

封装 SOT-416-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PDTC143EE,115引脚图与封装图
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在线购买PDTC143EE,115
型号 制造商 描述 购买
PDTC143EE,115 NXP 恩智浦 NXP  PDTC143EE,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 搜索库存
替代型号PDTC143EE,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PDTC143EE,115

品牌： NXP 恩智浦

封装： SOT-416 NPN 150mW

当前型号

NXP  PDTC143EE,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

当前型号

型号： PDTC143EEF

品牌： 恩智浦

封装：

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PDTC143EE,115和PDTC143EEF的区别

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封装：

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