PHC21025,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHC21025,118中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
输入电容Ciss 250pF @20VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Communications & Networking, Power Management, Industrial, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PHC21025,118引脚图与封装图
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在线购买PHC21025,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHC21025,118 | NXP 恩智浦 | NXP PHC21025,118. 场效应管阵列, MOSFET, N与P沟道, 30V, 3.5A, 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号PHC21025,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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