PSMN7R0-60YS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN7R0-60YS,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 4.95 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 117 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 89A
上升时间 20.3 ns
输入电容Ciss 2712pF @30VVds
额定功率Max 117 W
下降时间 12.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 117W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN7R0-60YS,115引脚图与封装图
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在线购买PSMN7R0-60YS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN7R0-60YS,115 | NXP 恩智浦 | NXP PSMN7R0-60YS,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, 4-SOT-669 | 搜索库存 |
替代型号PSMN7R0-60YS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN7R0-60YS,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-669 N-Channel 60V 89A | 当前型号 | NXP PSMN7R0-60YS,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, 4-SOT-669 | 当前型号 |
| 型号： PSMN7R0-60YS 品牌： 恩智浦 封装： TT N-Channel 60V 89A | 类似代替 | NXP PSMN7R0-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 60 V, 4.95 mohm, 10 V, 3 V | PSMN7R0-60YS,115和PSMN7R0-60YS的区别 |