PSMN015-60PS
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN015-60PS中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 12.6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 86 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 1220pF @30VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 86 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 16 mm
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN015-60PS引脚图与封装图
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在线购买PSMN015-60PS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN015-60PS | NXP 恩智浦 | NXP PSMN015-60PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 12.6 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号PSMN015-60PS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN015-60PS 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel | 当前型号 | NXP PSMN015-60PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 12.6 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： PSMN2R7-30PL 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel 30V 100A | 类似代替 | NXP PSMN2R7-30PL 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 10 V, 1.7 V | PSMN015-60PS和PSMN2R7-30PL的区别 |
| 型号： PSMN6R5-80PS 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel 80V 100A | 类似代替 | NXP PSMN6R5-80PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 5.9 mohm, 10 V, 3 V | PSMN015-60PS和PSMN6R5-80PS的区别 |
| 型号： PSMN034-100PS 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel 100V 32A | 类似代替 | NXP PSMN034-100PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 29.3 mohm, 10 V, 3 V | PSMN015-60PS和PSMN034-100PS的区别 |