PDTC143TT
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTC143TT中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTC143TT引脚图与封装图 
PDTC143TT引脚图
PDTC143TT封装图
PDTC143TT封装焊盘图
在线购买PDTC143TT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTC143TT | NXP 恩智浦 | NXP PDTC143TT 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTC143TT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTC143TT 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 当前型号 | NXP PDTC143TT 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMUN2216LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2216LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23 | PDTC143TT和MMUN2216LT1G的区别 |
| 型号： PDTC143TT,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 功能相似 | NXP PDTC143TT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23 | PDTC143TT和PDTC143TT,215的区别 |
| 型号： PDTC143TT,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 NPN 250mW | 功能相似 | TO-236AB NPN 50V 100mA | PDTC143TT和PDTC143TT,235的区别 |