PBSS302NZ,135
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS302NZ,135中文资料参数规格
技术参数
频率 140 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5.8A
最小电流放大倍数hFE 250 @2A, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 570
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Consumer Electronics, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS302NZ,135引脚图与封装图
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在线购买PBSS302NZ,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS302NZ,135 | NXP 恩智浦 | NXP PBSS302NZ,135 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 700 mW, 5.8 A, 570 hFE | 搜索库存 |
替代型号PBSS302NZ,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS302NZ,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 NPN 700mW | 当前型号 | NXP PBSS302NZ,135 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 700 mW, 5.8 A, 570 hFE | 当前型号 |
| 型号： PBSS302NZ 品牌： 恩智浦 封装： SC-73 NPN | 类似代替 | 20 V ， 5.8 NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 20 V, 5.8 A NPN low VCEsat BISS transistor | PBSS302NZ,135和PBSS302NZ的区别 |
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