PSMN016-100PS
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN016-100PS中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 13 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 148 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 57A
输入电容Ciss 2404pF @50VVds
额定功率Max 148 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 148 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 16 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN016-100PS引脚图与封装图
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在线购买PSMN016-100PS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN016-100PS | NXP 恩智浦 | NXP PSMN016-100PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 13 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号PSMN016-100PS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN016-100PS 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel 100V 57A | 当前型号 | NXP PSMN016-100PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 13 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： PSMN015-60PS 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel | 类似代替 | NXP PSMN015-60PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 12.6 mohm, 10 V, 3 V | PSMN016-100PS和PSMN015-60PS的区别 |
| 型号： PSMN034-100PS 品牌： 安世 封装： TO-220AB | 功能相似 | N 通道 MOSFET，100V 及更高，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | PSMN016-100PS和PSMN034-100PS的区别 |