
针脚数 3
漏源极电阻 2.3 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 3954pF @12VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 16 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown
制造应用 Consumer Electronics, Power Management, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PSMN2R7-30PL | NXP 恩智浦 | NXP PSMN2R7-30PL 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PSMN2R7-30PL 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-220AB N-Channel 30V 100A | 当前型号 | NXP PSMN2R7-30PL 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 | |
型号: PSMN015-60PS 品牌: 恩智浦 封装: TO-220AB N-Channel | 类似代替 | NXP PSMN015-60PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 12.6 mohm, 10 V, 3 V | PSMN2R7-30PL和PSMN015-60PS的区别 | |
型号: PSMN016-100PS 品牌: 安世 封装: TO-220AB | 功能相似 | N 通道 MOSFET,100V 及更高,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | PSMN2R7-30PL和PSMN016-100PS的区别 |