PHM12NQ20T,518
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
耗散功率 62.5W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 1230pF @25VVds
耗散功率Max 62.5W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 HVSON-8
封装 HVSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PHM12NQ20T,518 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON | 搜索库存 |