PSMN020-150W,127

NXP(恩智浦) 分立器件

MOSFET N-CH 150V 73A SOT429

N-Channel 150V 73A Tc 300W Tc Through Hole TO-247-3

得捷:
MOSFET N-CH 150V 73A TO247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 73A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
MOSFET N-CH 150V 73A SOT429

PSMN020-150W,127中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 79 ns

输入电容Ciss 9537pF @25VVds

下降时间 101 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PSMN020-150W,127引脚图与封装图

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PSMN020-150W,127	NXP 恩智浦	MOSFET N-CH 150V 73A SOT429	搜索库存