PHX8NQ11T,127
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PHX8NQ11T,127中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 27.7 W
漏源极电压Vds 110 V
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 360pF @25VVds
下降时间 7.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 27.7W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHX8NQ11T,127引脚图与封装图
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在线购买PHX8NQ11T,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHX8NQ11T,127 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A | 搜索库存 |
替代型号PHX8NQ11T,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHX8NQ11T,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A | 当前型号 |
| 型号： PHX8NQ11T 品牌： 恩智浦 封装： TO N-CH 110V 7.5A | 类似代替 | N沟道的TrenchMOS -TM标准水平FET N-channel TrenchMOS-TM standard level FET | PHX8NQ11T,127和PHX8NQ11T的区别 |