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PHP36N03LT,127

PHP36N03LT,127

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PHP36N03LT,127中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 57.6W Tc

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 690pF @25VVds

额定功率Max 57.6 W

下降时间 19 ns

耗散功率Max 57.6W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHP36N03LT,127引脚图与封装图
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在线购买PHP36N03LT,127
型号 制造商 描述 购买
PHP36N03LT,127 NXP 恩智浦 Trans MOSFET N-CH 30V 43.4A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube 搜索库存
替代型号PHP36N03LT,127
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PHP36N03LT,127

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-220-3

当前型号

Trans MOSFET N-CH 30V 43.4A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

当前型号

型号: PHP36N03LT

品牌: 恩智浦

封装:

完全替代

N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

PHP36N03LT,127和PHP36N03LT的区别

型号: PSMN022-30PL

品牌: 安世

封装:

功能相似

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