
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.75 W
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 5.70 A
输入电容Ciss 740pF @10VVds
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457-6
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOT-457-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Consumer Electronics, Communications & Networking, Industrial, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMN28UN,135 | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMN28UN,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-457 N-Channel 12V 5.7A | 当前型号 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 当前型号 | |
型号: SI3442BDV-T1-E3 品牌: 威世 封装: TSOP N-Channel 20V 3A 90mΩ | 功能相似 | N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 2.5-V G-S MOSFET | PMN28UN,135和SI3442BDV-T1-E3的区别 | |
型号: PMV31XN 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 N-Channel 5.9A | 功能相似 | NXP PMV31XN 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 20 V, 31 mohm, 4.5 V, 1.8 V | PMN28UN,135和PMV31XN的区别 | |
型号: PMV30UN,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 N-Channel 20V 5.7A | 功能相似 | NXP PMV30UN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 700 mV | PMN28UN,135和PMV30UN,215的区别 |