针脚数 3
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 560 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
输入电容Ciss 34pF @20VVds
额定功率Max 560 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 560mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMF290XN,115 | NXP 恩智浦 | NXP PMF290XN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMF290XN,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-323 N-Channel 20V 1A | 当前型号 | NXP PMF290XN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V | 当前型号 | |
型号: PMF280UN,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-323 N-Channel 20V 1.02A | 类似代替 | NXP PMF280UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV | PMF290XN,115和PMF280UN,115的区别 | |
型号: PMF280UN 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | PMF280UN N沟道MOSFET 20V 1.02A SOT-323/SC-70 marking/标记 快速开关/低功率损耗/极低的RDS | PMF290XN,115和PMF280UN的区别 |