PDTC323TK,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTC323TK,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTC323TK,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PDTC323TK,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTC323TK,115 | NXP 恩智浦 | 双极晶体管 - 预偏置 500 MA RET | 搜索库存 |
替代型号PDTC323TK,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTC323TK,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 500 MA RET | 当前型号 |
| 型号： PDTC323TK 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NPN 500毫安， 15 V电阻配备晶体管;升 NPN 500 mA, 15 V resistor-equipped transistor;l | PDTC323TK,115和PDTC323TK的区别 |