PBRN123EK,115

NXP(恩智浦) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS TAPE-7

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS TAPE-7

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 40 V 600 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK

PBRN123EK,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 700mA

最小电流放大倍数hFE 280 @300mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBRN123EK,115引脚图与封装图

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