PDTB123EK,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTB123EK,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTB123EK,115引脚图与封装图
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在线购买PDTB123EK,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTB123EK,115 | NXP 恩智浦 | MPAK PNP 50V 500mA | 搜索库存 |
替代型号PDTB123EK,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTB123EK,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 PNP | 当前型号 | MPAK PNP 50V 500mA | 当前型号 |
| 型号： BCR553E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 PNP -50V -500mA 330mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR | PDTB123EK,115和BCR553E6327HTSA1的区别 |