PDTA114TS,126
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTA114TS,126 | NXP 恩智浦 | SPT PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTA114TS,126 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-226-3 PNP | 当前型号 | SPT PNP 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: DTA114TET1 品牌: 安森美 封装: SOT-416 -50V -100mA | 功能相似 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | PDTA114TS,126和DTA114TET1的区别 | |
型号: DTA114TSA 品牌: 罗姆半导体 封装: | 功能相似 | 数字晶体管(内置电阻) Digital transistors built in resistor | PDTA114TS,126和DTA114TSA的区别 |