PDTD123ES,126

NXP(恩智浦) 分立器件

SPT NPN 50V 500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 500 MA RET

PDTD123ES,126中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTD123ES,126引脚图与封装图

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