PDTC114TEF,115

NXP(恩智浦) 分立器件

SC-89 NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 SC-89

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89

PDTC114TEF,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-490

外形尺寸

封装 SOT-490

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTC114TEF,115引脚图与封装图

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