PDTA143EEF,115

NXP(恩智浦) 分立器件

SC-89 PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压表面贴装型 SC-89

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89

PDTA143EEF,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89

外形尺寸

封装 SC-89

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA143EEF,115引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PDTA143EEF,115	NXP 恩智浦	SC-89 PNP 50V 100mA	搜索库存

替代型号PDTA143EEF,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PDTA143EEF,115 品牌： NXP 恩智浦封装： SOT-89 PNP	当前型号	SC-89 PNP 50V 100mA	当前型号
型号： PDTA143EE 品牌：恩智浦封装：	类似代替	PDTA143EE 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 30 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记1 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路	PDTA143EEF,115和PDTA143EE的区别
型号： DTA143TM3T5G 品牌：安森美封装： SOT-723-3 PNP -50V -100mA 600mW	功能相似	数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network	PDTA143EEF,115和DTA143TM3T5G的区别
型号： DTA143TET1G 品牌：安森美封装： SOT-416 PNP -50V -100mA 300mW	功能相似	偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors	PDTA143EEF,115和DTA143TET1G的区别