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PDTA114EK,115

PDTA114EK,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

MPAK PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin MPAK T/R


PDTA114EK,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA114EK,115引脚图与封装图
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PDTA114EK,115 NXP 恩智浦 MPAK PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号PDTA114EK,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTA114EK,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236 PNP

当前型号

MPAK PNP 50V 100mA

当前型号

型号: BCR185E6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP 50V 100mA 200mW

功能相似

Infineon BCR185E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装

PDTA114EK,115和BCR185E6327HTSA1的区别

型号: BCR183E6433HTMA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW

功能相似

1个PNP-预偏置 100mA 50V

PDTA114EK,115和BCR183E6433HTMA1的区别