PUMD13,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMD13,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
PUMD13,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMD13,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMD13,115 | NXP 恩智浦 | NXP PUMD13,115 单晶体管 双极, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号PUMD13,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMD13,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN 300mW | 当前型号 | NXP PUMD13,115 单晶体管 双极, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： MUN5333DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻 晶体管 - SOT-363 | PUMD13,115和MUN5333DW1T1G的区别 |
| 型号： PUMD13 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 200mW | 功能相似 | NXP PUMD13 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363 | PUMD13,115和PUMD13的区别 |