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PMBT2369,215

PMBT2369,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PMBT2369,215中文资料参数规格
技术参数

频率 500 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

PMBT2369,215引脚图与封装图
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在线购买PMBT2369,215
型号 制造商 描述 购买
PMBT2369,215 NXP 恩智浦 NXP  PMBT2369,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 250 mW, 200 mA, 20 hFE 搜索库存
替代型号PMBT2369,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMBT2369,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

当前型号

NXP  PMBT2369,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 250 mW, 200 mA, 20 hFE

当前型号

型号: PMBT2369,235

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

完全替代

TO-236AB NPN 15V 0.2A

PMBT2369,215和PMBT2369,235的区别

型号: MMBT2369ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE

PMBT2369,215和MMBT2369ALT1G的区别

型号: MMBT2369LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369LT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE

PMBT2369,215和MMBT2369LT1G的区别