频率 500 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMBT2369,215 | NXP 恩智浦 | NXP PMBT2369,215 单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 250 mW, 200 mA, 20 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMBT2369,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-23 NPN 250mW | 当前型号 | NXP PMBT2369,215 单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 250 mW, 200 mA, 20 hFE | 当前型号 | |
型号: PMBT2369,235 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 NPN 250mW | 完全替代 | TO-236AB NPN 15V 0.2A | PMBT2369,215和PMBT2369,235的区别 | |
型号: MMBT2369ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2369ALT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE | PMBT2369,215和MMBT2369ALT1G的区别 | |
型号: MMBT2369LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2369LT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE | PMBT2369,215和MMBT2369LT1G的区别 |