锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PZM4.7NB,115

PZM4.7NB,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

MPAK 4.66V 300mW

Zener Diode 4.7V 300mW ±5% Surface Mount SMT3; MPAK


得捷:
DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3


Win Source:
DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3


PZM4.7NB,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @100mA

耗散功率 300 mW

稳压值 4.7 V

正向电压Max 1.1V @100mA

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PZM4.7NB,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PZM4.7NB,115
型号 制造商 描述 购买
PZM4.7NB,115 NXP 恩智浦 MPAK 4.66V 300mW 搜索库存
替代型号PZM4.7NB,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PZM4.7NB,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236-3

当前型号

MPAK 4.66V 300mW

当前型号

型号: CZRT5230B-G

品牌: 上华科技

封装: TO-236

功能相似

稳压二极管 0.35W, VR=4.7V

PZM4.7NB,115和CZRT5230B-G的区别