锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PZM9.1NB3,115

PZM9.1NB3,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

MPAK 9.35V 300mW

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 SMT3; MPAK


得捷:
DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3


贸泽:
Zener Diodes DIODE ZENER TAPE-7


PZM9.1NB3,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @100mA

耗散功率 300 mW

测试电流 5 mA

稳压值 9.1 V

正向电压Max 1.1V @100mA

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

温度系数 5.5 mV/K

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PZM9.1NB3,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PZM9.1NB3,115
型号 制造商 描述 购买
PZM9.1NB3,115 NXP 恩智浦 MPAK 9.35V 300mW 搜索库存