PZM6.8NB1,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PZM6.8NB1,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 300 mW
测试电流 5 mA
稳压值 6.8 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 3 mV/K
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PZM6.8NB1,115引脚图与封装图
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在线购买PZM6.8NB1,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZM6.8NB1,115 | NXP 恩智浦 | MPAK 6.6V 300mW | 搜索库存 |
替代型号PZM6.8NB1,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZM6.8NB1,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 | 当前型号 | MPAK 6.6V 300mW | 当前型号 |
| 型号： PLVA2668A,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 | 类似代替 | TO-236AB 6.8V 0.25W1/4W | PZM6.8NB1,115和PLVA2668A,215的区别 |
| 型号： PZM6.8NB2A,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Diode Zener Dual Common Anode 6.79V 2% 220mW 3Pin MPAK T/R | PZM6.8NB1,115和PZM6.8NB2A,115的区别 |