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PZM18NB1,115

PZM18NB1,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

MPAK 17.32V 300mW

Zener Diode 18V 300mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK


得捷:
DIODE ZENER 18V 300MW SMT3


PZM18NB1,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @100mA

耗散功率 300 mW

稳压值 18 V

正向电压Max 1.1V @100mA

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PZM18NB1,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PZM18NB1,115 NXP 恩智浦 MPAK 17.32V 300mW 搜索库存
替代型号PZM18NB1,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PZM18NB1,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236

当前型号

MPAK 17.32V 300mW

当前型号

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