PZM10NB,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PZM10NB,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 300 mW
测试电流 5 mA
稳压值 10 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 6.4 mV/K
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PZM10NB,115引脚图与封装图
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在线购买PZM10NB,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZM10NB,115 | NXP 恩智浦 | MPAK 10V 300mW | 搜索库存 |
替代型号PZM10NB,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZM10NB,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 | 当前型号 | MPAK 10V 300mW | 当前型号 |
| 型号： BZV55C13 品牌： EIC 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 13V VZ, 5%, 0.5W, | PZM10NB,115和BZV55C13的区别 |
| 型号： BZV55C15 品牌： EIC 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 15V VZ, 5%, 0.5W, | PZM10NB,115和BZV55C15的区别 |
| 型号： CZRT5240B-G 品牌： 上华科技 封装： TO-236 | 功能相似 | SOT-23 10V 300mW | PZM10NB,115和CZRT5240B-G的区别 |