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PZM5.6NB2,115

PZM5.6NB2,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

MPAK 5.61V 300mW

Zener Diode 5.6V 300mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK


得捷:
DIODE ZENER 5.6V 300MW SMT3


Chip1Stop:
Diode Zener Single 5.61V 2% 300mW 3-Pin MPAK T/R


Win Source:
DIODE ZENER 5.6V 300MW SMT3


PZM5.6NB2,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @100mA

耗散功率 300 mW

稳压值 5.6 V

正向电压Max 1.1V @100mA

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PZM5.6NB2,115引脚图与封装图
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PZM5.6NB2,115 NXP 恩智浦 MPAK 5.61V 300mW 搜索库存
替代型号PZM5.6NB2,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PZM5.6NB2,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: MPAK

当前型号

MPAK 5.61V 300mW

当前型号

型号: PLVA2656A,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23

类似代替

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PZM5.6NB2,115和PLVA2656A,215的区别

型号: PLVA2656A

品牌: 恩智浦

封装:

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