PZM9.1NB2,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PZM9.1NB2,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 300 mW
稳压值 9.1 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 300 mW
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PZM9.1NB2,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZM9.1NB2,115 | NXP 恩智浦 | MPAK 9.04V 300mW | 搜索库存 |
替代型号PZM9.1NB2,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZM9.1NB2,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236-3 | 当前型号 | MPAK 9.04V 300mW | 当前型号 |
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| 型号： PZM9.1NB2 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 稳压二极管 Voltage regulator diodes | PZM9.1NB2,115和PZM9.1NB2的区别 |
| 型号： PZM9.1NB 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 稳压二极管 Voltage regulator diodes | PZM9.1NB2,115和PZM9.1NB的区别 |