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PTZTE2513B

PTZTE2513B

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

1000mW,PTZ 系列,ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 13.3V \---|--- 平均Typ.| 13.82V 最大max.| 15V 误差Tolerance| 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 10Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 10uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 1W Description & Applications| Zener diode Voltage regulation Small power mold type. PMDS High ESD tolerance Silicon epitaxial planar 描述与应用| 齐纳 电压调节 小功率模具类型。 (PMDS) 高耐ESD 硅外延平面


欧时:
ROHM PTZTE2513B 单路 齐纳二极管, 13.8V 6% 1 W, 2引脚 SOD-106封装


得捷:
DIODE ZENER 13.8V 1W PMDS


安富利:
Diode Zener Single 13.82V 6% 1W 2-Pin PMDS T/R


富昌:
PTZ13B Series 1 W 10 uA 13 V Surface Mount Zener Diode - SOD-106


Chip1Stop:
Diode Zener Single 13.82V 6% 1W Automotive 2-Pin PMDS T/R


Verical:
Diode Zener Single 13.82V 6% 1000mW 2-Pin PMDS T/R


Win Source:
DIODE ZENER 13.8V 1W PMDS


PTZTE2513B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 13.0 V

容差 ±6 %

额定功率 1.00 W

耗散功率 1 W

测试电流 20 mA

稳压值 13.8 V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-106-2

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.9 mm

封装 SOD-106-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

温度系数 10.1 mV/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTZTE2513B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PTZTE2513B ROHM Semiconductor 罗姆半导体 1000mW,PTZ 系列,ROHM ### Zener Diodes, ROHM Semiconductor 搜索库存
替代型号PTZTE2513B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PTZTE2513B

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: PMDS 13V

当前型号

1000mW,PTZ 系列,ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor

当前型号

型号: PTZTE2513A

品牌: 罗姆半导体

封装: DO-214AC/SMA-13V 13V

类似代替

齐纳二极管电压调节小功率模具类型。 (PMDS)高耐ESD硅外延平面

PTZTE2513B和PTZTE2513A的区别

型号: 1SMA5928BT3G

品牌: 安森美

封装: SMA 13V 28.8A 13.7V

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  1SMA5928BT3G  单管二极管 齐纳, 13 V, 1.5 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

PTZTE2513B和1SMA5928BT3G的区别