PTZTE254.3B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
PTZTE254.3B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 4.30 V
容差 ±5 %
额定功率 1.00 W
耗散功率 1 W
测试电流 40 mA
稳压值 4.572 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-106-2
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.9 mm
封装 SOD-106-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 -2.1 mV/℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PTZTE254.3B引脚图与封装图
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| PTZTE254.3B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 1000mW，PTZ 系列，ROHM ### Zener Diodes, ROHM Semiconductor | 搜索库存 |