PTZTE259.1B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
PTZTE259.1B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 9.10 V
容差 ±6 %
额定功率 1.00 W
针脚数 2
耗散功率 1 W
测试电流 40 mA
稳压值 9.1 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AC
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.9 mm
封装 DO-214AC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 5.9 mV/℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
PTZTE259.1B引脚图与封装图
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在线购买PTZTE259.1B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PTZTE259.1B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM PTZTE259.1B 单管二极管 齐纳, 9.1 V, 1 W, SOD-106, 2 引脚, 150 °C | 搜索库存 |
替代型号PTZTE259.1B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PTZTE259.1B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DO-214AC 9.1V | 当前型号 | ROHM PTZTE259.1B 单管二极管 齐纳, 9.1 V, 1 W, SOD-106, 2 引脚, 150 °C | 当前型号 |
| 型号： PTZ9.1 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 9.65V VZ, 5.69%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | PTZTE259.1B和PTZ9.1的区别 |
| 型号： PTZ9.1B 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 9.65V VZ, 5.69%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | PTZTE259.1B和PTZ9.1B的区别 |