PTZTE253.6B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
PTZTE253.6B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 36.0 V
容差 ±5 %
额定功率 1.00 W
耗散功率 1000 mW
测试电流 40 mA
稳压值 3.8 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-106-2
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.9 mm
封装 SOD-106-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 -2.8 mV/℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PTZTE253.6B引脚图与封装图 
PTZTE253.6B引脚图
PTZTE253.6B封装图
PTZTE253.6B封装焊盘图
在线购买PTZTE253.6B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PTZTE253.6B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 1W，PTZ 系列，ROHM ### Zener Diodes, ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号PTZTE253.6B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PTZTE253.6B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DO-214AC 36V | 当前型号 | 1W，PTZ 系列，ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： PTZ3.3B 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | Zener Diode | PTZTE253.6B和PTZ3.3B的区别 |