PTZTE256.8B
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
PTZTE256.8B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.80 V
容差 ±6 %
额定功率 1.00 W
耗散功率 1 W
测试电流 40 mA
稳压值 7.28 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-106-2
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.9 mm
封装 SOD-106-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 3.2 mV/℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PTZTE256.8B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PTZTE256.8B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PTZTE256.8B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PTZ6.8B 系列 6.8 V 1 W 表面贴装 齐纳二极管 - SOD-106 | 搜索库存 |