额定电压DC 100 V
额定功率 600 W
最大反向电压(Vrrm) 85.5V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 95 V
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-18
封装 T-18
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: P6KE100AG 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: Case 100V 600W | 当前型号 | 85.5V 600W | 当前型号 | |
型号: P6KE100CA-TP 品牌: 美微科 封装: DO-15 100V 600W | 类似代替 | ESD 抑制器/TVS 二极管 BI-DIR 600W 4.4A | P6KE100AG和P6KE100CA-TP的区别 | |
型号: P6KE100A-TP 品牌: 美微科 封装: | 类似代替 | DO-15 85.5V 600W | P6KE100AG和P6KE100A-TP的区别 | |
型号: P6KE100CA 品牌: 快达 封装: | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 | P6KE100AG和P6KE100CA的区别 |