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PC28F512M29EWHD

PC28F512M29EWHD

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray

FLASH - NOR Memory IC 512Mb 64M x 8, 32M x 16 Parallel 100ns 64-FBGA 11x13


得捷:
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA


艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin BGA Tray


安富利:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin BGA Tray


Chip1Stop:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin BGA Tray


Verical:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin BGA Tray


Win Source:
IC FLASH 512MBIT 100NS 64FBGA


PC28F512M29EWHD中文资料参数规格
技术参数

供电电流 31 mA

位数 8, 16

存取时间 100 ns

存取时间Max 100 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 64

封装 BGA-64

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-64

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

PC28F512M29EWHD引脚图与封装图
PC28F512M29EWHD引脚图

PC28F512M29EWHD引脚图

PC28F512M29EWHD封装图

PC28F512M29EWHD封装图

PC28F512M29EWHD封装焊盘图

PC28F512M29EWHD封装焊盘图

在线购买PC28F512M29EWHD
型号 制造商 描述 购买
PC28F512M29EWHD Micron 镁光 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray 搜索库存
替代型号PC28F512M29EWHD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PC28F512M29EWHD

品牌: Micron 镁光

封装: LBGA

当前型号

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray

当前型号

型号: PC28F512M29EWHA

品牌: 镁光

封装: 64-LBGA

完全替代

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray

PC28F512M29EWHD和PC28F512M29EWHA的区别

型号: PC28F512M29EWLA

品牌: 镁光

封装: Fortified 64000000B 2.7V 64Pin

完全替代

Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

PC28F512M29EWHD和PC28F512M29EWLA的区别

型号: PC28F512M29EWHB

品牌: 镁光

封装: LBGA

完全替代

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA T/R

PC28F512M29EWHD和PC28F512M29EWHB的区别