供电电流 31 mA
位数 8, 16
存取时间Max 100 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 64
封装 BGA
封装 BGA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.1.a
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PC28F512M29EWHB | Micron 镁光 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PC28F512M29EWHB 品牌: Micron 镁光 封装: LBGA | 当前型号 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA T/R | 当前型号 | |
型号: PC28F512M29EWHA 品牌: 镁光 封装: 64-LBGA | 完全替代 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray | PC28F512M29EWHB和PC28F512M29EWHA的区别 | |
型号: PC28F512M29EWLA 品牌: 镁光 封装: Fortified 64000000B 2.7V 64Pin | 完全替代 | Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。 | PC28F512M29EWHB和PC28F512M29EWLA的区别 | |
型号: PC28F512M29EWHD 品牌: 镁光 封装: LBGA | 完全替代 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray | PC28F512M29EWHB和PC28F512M29EWHD的区别 |