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PC28F512M29EWHB

PC28F512M29EWHB

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA T/R

Memory IC


得捷:
FLASH, 32MX16, 100NS, PBGA64


艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin BGA T/R


Verical:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin BGA T/R


PC28F512M29EWHB中文资料参数规格
技术参数

供电电流 31 mA

位数 8, 16

存取时间Max 100 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 64

封装 BGA

外形尺寸

封装 BGA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.1.a

PC28F512M29EWHB引脚图与封装图
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在线购买PC28F512M29EWHB
型号 制造商 描述 购买
PC28F512M29EWHB Micron 镁光 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA T/R 搜索库存
替代型号PC28F512M29EWHB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PC28F512M29EWHB

品牌: Micron 镁光

封装: LBGA

当前型号

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA T/R

当前型号

型号: PC28F512M29EWHA

品牌: 镁光

封装: 64-LBGA

完全替代

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray

PC28F512M29EWHB和PC28F512M29EWHA的区别

型号: PC28F512M29EWLA

品牌: 镁光

封装: Fortified 64000000B 2.7V 64Pin

完全替代

Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

PC28F512M29EWHB和PC28F512M29EWLA的区别

型号: PC28F512M29EWHD

品牌: 镁光

封装: LBGA

完全替代

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray

PC28F512M29EWHB和PC28F512M29EWHD的区别