P4KE9.1A-G
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Comchip Technology
上华科技
分立器件
P4KE9.1A-G中文资料参数规格
技术参数
工作电压 7.8 V
击穿电压 8.65 V
耗散功率 1 W
钳位电压 13.4 V
最大反向电压（Vrrm） 7.8V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 400 W
最小反向击穿电压 8.65 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41-2
外形尺寸
封装 DO-41-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
P4KE9.1A-G引脚图与封装图 
P4KE9.1A-G引脚图
P4KE9.1A-G封装图
P4KE9.1A-G封装焊盘图
在线购买P4KE9.1A-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P4KE9.1A-G | Comchip Technology 上华科技 | ESD 抑制器/TVS 二极管 400W, VRWM=9.1V | 搜索库存 |
替代型号P4KE9.1A-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P4KE9.1A-G 品牌： Comchip Technology 上华科技 封装： DO-41 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 400W, VRWM=9.1V | 当前型号 |
| 型号： P4KE9.1 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | 400W Transient Voltage Suppressors 6.8 to 400 Volts | P4KE9.1A-G和P4KE9.1的区别 |
| 型号： P4KE9.1-G 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 功能相似 | DO-41 7.37V 400W | P4KE9.1A-G和P4KE9.1-G的区别 |