击穿电压 7.5 V
电路数 1
耗散功率 600 W
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 7.13 V
安装方式 Surface Mount
封装 SMB
封装 SMB
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
P6SMB7.5A引脚图
P6SMB7.5A封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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P6SMB7.5A | Littelfuse 力特 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: P6SMB7.5A 品牌: Littelfuse 力特 封装: SMB | 当前型号 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | 当前型号 | |
型号: P6SMBJ7.5A 品牌: 力特 封装: DO-214AA 7.5V 600W | 类似代替 | 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Supressors | P6SMB7.5A和P6SMBJ7.5A的区别 | |
型号: 1SMB7.5AT3G 品牌: 安森美 封装: SMB | 功能相似 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor | P6SMB7.5A和1SMB7.5AT3G的区别 | |
型号: P6SMB7.5AT3G 品牌: 安森美 封装: DO-214AA 5.8A | 功能相似 | P6SMB 系列 7.88 V 600 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制二极管 | P6SMB7.5A和P6SMB7.5AT3G的区别 |