PMBTA56,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMBTA56,215中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
PMBTA56,215引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMBTA56,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMBTA56,215 | NXP 恩智浦 | NXP PMBTA56,215. 双极性晶体管, PNP, -80V, -500mA, 3-SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号PMBTA56,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMBTA56,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 250mW | 当前型号 | NXP PMBTA56,215. 双极性晶体管, PNP, -80V, -500mA, 3-SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： PMBTA56,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 PNP 0.25W | 类似代替 | TO-236AB PNP 80V 0.5A | PMBTA56,215和PMBTA56,235的区别 |
| 型号： MMBTA56LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -80V -500mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT1G. 双极性晶体管, PNP -80V SOT-23 | PMBTA56,215和MMBTA56LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA56-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 PNP 80V 100mA 300mW | 功能相似 | MMBTA56-7-F 编带 | PMBTA56,215和MMBTA56-7-F的区别 |