PMG370XN,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PMG370XN,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 0.69 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.96A
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 37pF @25VVds
额定功率Max 690 mW
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 690mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-363
外形尺寸
封装 TSSOP-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMG370XN,115引脚图与封装图
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在线购买PMG370XN,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMG370XN,115 | NXP 恩智浦 | TSSOP N-CH 30V 0.96A | 搜索库存 |
替代型号PMG370XN,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMG370XN,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 N-CH 30V 0.96A | 当前型号 | TSSOP N-CH 30V 0.96A | 当前型号 |
| 型号： PMG370XN 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 N-Channel 30V 0.96A | 功能相似 | NXP PMG370XN 晶体管, MOSFET, N沟道, 960 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V | PMG370XN,115和PMG370XN的区别 |