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PHN210,118

PHN210,118

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SO N-CH 30V 3.4A

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V - 2W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-Pin SO T/R


PHN210,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.4A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 250pF @20VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHN210,118引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PHN210,118 NXP 恩智浦 SO N-CH 30V 3.4A 搜索库存