PHB110NQ06LT,118
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PHB110NQ06LT,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 123 ns
输入电容Ciss 3960pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 86 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHB110NQ06LT,118引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHB110NQ06LT,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 55V 75A | 搜索库存 |
替代型号PHB110NQ06LT,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHB110NQ06LT,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： D2PAK N-Channel 55V 75A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 75A | 当前型号 |
| 型号： PHB110NQ06LT 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | PHB110NQ06LT,118和PHB110NQ06LT的区别 |