PHD18NQ10T,118
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PHD18NQ10T,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 79 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 633pF @25VVds
额定功率Max 79 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
PHD18NQ10T,118引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PHD18NQ10T,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHD18NQ10T,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号PHD18NQ10T,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHD18NQ10T,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： DPak | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRFR3910 品牌： 国际整流器 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3Pin 2+Tab DPAK | PHD18NQ10T,118和IRFR3910的区别 |