PMDPB65UP,115

NXP(恩智浦) 分立器件

DFN P-CH 20V 3.5A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.5A 520mW 表面贴装型 DFN2020-6

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin HUSON EP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin HUSON EP T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin DFN EP T/R

Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

PMDPB65UP,115中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 380pF @10VVds

额定功率Max 520 mW

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMDPB65UP,115引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PMDPB65UP,115	NXP 恩智浦	DFN P-CH 20V 3.5A	搜索库存

替代型号PMDPB65UP,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PMDPB65UP,115 品牌： NXP 恩智浦封装： 6-UDFN Dual P-Channel 20V 3.5A	当前型号	DFN P-CH 20V 3.5A	当前型号
型号： PMDPB58UPE,115 品牌：恩智浦封装： 6-UDFN P-CH 20V 4.5A	类似代替	DFN P-CH 20V 4.5A	PMDPB65UP,115和PMDPB58UPE,115的区别
型号： FDMA1023PZ 品牌：飞兆/仙童封装： 6-WDFN P-Channel -20V -3.7A	功能相似	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1023PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.7 A, -20 V, 60 mohm, -4.5 V, -700 mV	PMDPB65UP,115和FDMA1023PZ的区别
型号： FDMA6023PZT 品牌：飞兆/仙童封装： uFET P-Channel -20V -3.6A	功能相似	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA6023PZT 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.6 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -500 mV	PMDPB65UP,115和FDMA6023PZT的区别