PMFPB6532UP,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PMFPB6532UP,115中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 520mW Ta, 8.3W Tc
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 380pF @10VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520mW Ta, 8.3W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DFN2020-6
外形尺寸
封装 DFN2020-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMFPB6532UP,115引脚图与封装图
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在线购买PMFPB6532UP,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMFPB6532UP,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6Pin DFN EP T/R | 搜索库存 |
替代型号PMFPB6532UP,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMFPB6532UP,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： P-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6Pin DFN EP T/R | 当前型号 |
| 型号： PMFPB8032XP,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT1118 | 类似代替 | Single P-Channel 20V 156mOhm 8.6NC 1100mW Silicon SMT Mosfet - DFN-2020 | PMFPB6532UP,115和PMFPB8032XP,115的区别 |